FQP55N10
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQP55N10 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.425 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 27.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 155W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |
FQP55N10 Einzelheiten PDF [English] | FQP55N10 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
FAIRCHILD T0-220
MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
PATCHCORD FIBER OPTIC
FAIRCHILD TO-220
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
FAIRCHILD TO-220
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQP55N10Fairchild/ON Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|